GaN功率元件采用的是由GaN和AlGaN构成的“HEMT构造”。在这种构造下，GaN与AlGaN的接合部会产生二维电子气，难以实现常闭工作。但出于安全性考虑，非常需要电源电路为常闭工作方式。为此，三星在栅极部分设置了p型GaN层，从而实现了常闭工作。

　三星在演讲中介绍的是耐压为670V、阈值电压为2.8V的GaN功率元件。此外，还介绍了封装在TO-220封装中的GaN功率元件，其耐压为850V，阈值电压为3.3V，未公布芯片尺寸，栅极宽度为100μm。

　会场上有人问到电流崩塌特性如何，但三星的演讲者未给出明确回答。

　另外，关于常闭工作型GaN功率元件的用途，三星的演讲者表示“可考虑用于白色家电”。